1、主要特性
CSU18MB86 系列芯片是一個(gè) 8 位 CMOS 單芯片 MCU,,內(nèi)置 8k×16 位 MTP 程序存儲(chǔ)器 ,、128 字節(jié) EEPROM 和 488 字節(jié)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器,帶有 1 路全差分模擬信號(hào)輸入的 24 位 ADC 和 1 路單端模擬信號(hào)輸入的 10 位 ADC,,帶有 LED 驅(qū)動(dòng),,最大可以直接驅(qū)動(dòng) 56 個(gè)發(fā)光二極管。
高性能的 RISC CPU
8 位單片機(jī) MCU
內(nèi)置 8k×16Bits 的 MTP 程序存儲(chǔ)器(燒錄次數(shù)不低于 1000 次)和 128Bytes EEPROM(燒錄次數(shù)不低于 10000 次)
488 字節(jié)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器(SRAM):需要翻頁
43 條指令,、8 級(jí)存儲(chǔ)堆棧
最快指令周期為:2MHz(默認(rèn)值),、1MHz、500kHz,、250kHz
振蕩器
內(nèi)置 16MHz 振蕩器
內(nèi)置 3kHz WDT 振蕩器
可外接 32768Hz 晶振作為 RTC 時(shí)鐘,,由PT4.0/PT4.1 口輸入專用微控制器的特性
上電復(fù)位(POR)
上電復(fù)位延遲定時(shí)器(39ms)
內(nèi)帶低電壓復(fù)位(LVR)
定時(shí)器 0
-可編程預(yù)分頻的 8 位的定時(shí)器
定時(shí)/計(jì)數(shù)器 1
-可編程預(yù)分頻的 8 位的分頻器
看門狗定時(shí)器(3K WDT)
外設(shè)特性
最多 15 個(gè)雙向 I/O 口(PT1:4 個(gè)、PT2:8 個(gè),、PT4:3 個(gè),,其中 PT2 可以用作 LED 驅(qū)動(dòng)口)
7 個(gè)內(nèi)部中斷:24bit-ADC、10bit-ADC,、UART 接收/發(fā)送,、TIMER0、TIMER1,、RTC中斷
2 個(gè)外部中斷:
INT0:PT1.0 或 PT1.2 或 PT2.0
INT1:PT1.1 或 PT1.3 或 PT2.1 或 PT4.1
7 個(gè) 具 有 喚 醒 功 能 的 輸 入 口 : PT1.0 ,、PT1.1 、 PT1.2 ,、 PT1.3 ,、 PT2.0 、 PT2.1 ,、PT4.1
1 路蜂鳴器:由 PT1.2 輸出,,電流能力 6mA
1 路輸入全差分 24bit Sigma-Delta 型 ADC,ADC 采樣頻率可選:250kHz,、500kHz PGA 可選:1,、16、64,、128 倍 ,,速率可選: 30Hz ,、 60Hz 、 120Hz ,、240Hz,、480Hz、960Hz,、1920Hz,、3840Hz
內(nèi)置溫度傳感器
內(nèi)置 10 位 ADC,用來測量電池電壓,,信號(hào)由 PT2.2 口輸入具有 RTC 功能,,可以顯示年、月,、日、星期,、小時(shí),、分、秒信息,,無鬧鐘功能
低電壓檢測(LVD)引腳:PT1.3
1 路 UART:PT1.0/1.1,,波特率 19200/9600
內(nèi)置比較器:用來做電源電壓比較和外部電壓檢測(即 LVD 功能)
內(nèi)置 3.8V Charge pump(LED 模式下 PT2 口的驅(qū)動(dòng)電壓),使用 charge pump 時(shí)需要接
20uF 的電容(兩個(gè) 10uF 的)
功耗特性
MCU 工作電流
— 正常模式 1.2mA@16MHz(工作電壓 3V,,
指令周期 2MHz)
— 休眠模式下的電流小于 2μA
CMOS 技術(shù)
電壓工作范圍
— DVDD 2.4V~3.6V
— AVDD 2.4V~3.6V
封裝
SOP16L,、SSOP20、SSOP24
應(yīng)用場合
電子衡器
精密測量及控制系統(tǒng)
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