FLASH MCU芯片CSU8RF3111高性能的RISC CPU
8位單片機(jī)MCU
內(nèi)置1K×16位程序存儲器FLASH
96字節(jié)數(shù)據(jù)存儲器（SRAM）
54字節(jié)的E2PROM，用于數(shù)據(jù)存儲
只有43條單字指令
6級存儲堆棧
支持ISP
FLASH MCU芯片CSU8RF3111專用微控制器的特性
上電復(fù)位（POR）
上電復(fù)位和硬件復(fù)位延遲定時器（40ms）
內(nèi)帶低電壓復(fù)位（LVR）
定時器0 — 8位可編程預(yù)分頻的8位的定時計數(shù)器
定時/計數(shù)器2 — 8位可編程預(yù)分頻的8位的分頻器
擴(kuò)展型看門狗定時器（32K WDT） — 可編程的時間范圍
FLASH MCU芯片CSU8RF3111外設(shè)特性
5位雙向I/O口,1位輸入口
1路蜂鳴器輸出
1路PWM輸出
3個內(nèi)部中斷,，1個外部中斷
2個具有喚醒功能的輸入口
3+3 路12-bitADC
內(nèi)部1.4V,、VDD、外部輸入三種參考電壓選擇
帶數(shù)字比較器
低電壓檢測（LVD）引腳,，內(nèi)部提供2.4V,、3.6V電壓比較
1個開漏輸出口
低功耗特性
MCU工作電流
正常模式0.85mA@4MHz(工作電壓3V)
正常模式8uA@32KHz(工作電壓3V)
休眠模式下的電流小于1μA
振蕩器
內(nèi)帶16MHz振蕩器，精度為±2%
外部32768Hz晶振（RTC）或4MHz~16MHz晶振
ERC 3V DC~4M 5V DC~8M
CMOS技術(shù)
電壓工作范圍
VDD 2.3V~5.5V
FLASH MCU芯片CSU8RF3111特點
FLASH MCU芯片CSU8RF3111是一個8位RISC架構(gòu),、帶12-bit ADC的高性能單片機(jī),。該款芯片外圍配置簡單，并且自帶EEPROM,，方便數(shù)據(jù)的存儲和電路的設(shè)計,。該款單片機(jī)擁有卓越的AD測量、多路PWM輸出和超低的功耗,，適用于多個領(lǐng)域 產(chǎn)品的開發(fā),。
應(yīng)用場合
電子禮品
消費(fèi)電子
家電
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