FLASH MCU芯片CSU8RF3221高性能的RISC CPU
8位單片機(jī)MCU
內(nèi)置2K×16位程序存儲(chǔ)器FLASH
128字節(jié)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器（SRAM）
96字節(jié)的E2PROM,，用于數(shù)據(jù)存儲(chǔ)
只有43條單字指令
8級(jí)存儲(chǔ)堆棧
支持ISP
FLASH MCU芯片CSU8RF3221專用微控制器的特性
上電復(fù)位（POR）
上電復(fù)位和硬件復(fù)位延遲定時(shí)器（40ms）
內(nèi)帶低電壓復(fù)位（LVR）
定時(shí)器0 — 8位可編程預(yù)分頻的8位的定時(shí)計(jì)數(shù)器
定時(shí)/計(jì)數(shù)器2 — 8位可編程預(yù)分頻的8位的分頻器
定時(shí)/計(jì)數(shù)器3 — 8位可編程預(yù)分頻的8位的分頻器
擴(kuò)展型看門狗定時(shí)器（32K WDT） — 可編程的時(shí)間范圍
FLASH MCU芯片CSU8RF3221外設(shè)特性
13位雙向I/O口,1位輸入口
2路蜂鳴器輸出
2路PWM輸出
5個(gè)內(nèi)部中斷,，2個(gè)外部中斷
5個(gè)具有喚醒功能的輸入口
4+3 路12-bitADC
內(nèi)部1.4V、VDD,、外部輸入三種參考電壓選擇
帶數(shù)字比較器
低電壓檢測(cè)（LVD）引腳，內(nèi)部提供2.4V,、3.6V電壓檢測(cè)
6個(gè)開漏輸出口
低功耗特性
MCU工作電流
正常模式0.9mA@4MHz(工作電壓3V)
正常模式8uA@32KHz(工作電壓3V)
休眠模式下的電流小于1μA
振蕩器
內(nèi)帶16MHz振蕩器,，精度為±2%
外部32768Hz晶振（RTC）或4MHz~16MHz晶振
ERC 3V DC~4M 5V DC~8M
CMOS技術(shù)
電壓工作范圍
VDD 2.3V~5.5V
FLASH MCU芯片CSU8RF3221特點(diǎn)
FLASH MCU芯片CSU8RF3221是一個(gè)8位RISC架構(gòu)、帶12-bit ADC的高性能單片機(jī),。該款芯片內(nèi)帶128 Byte SRAM,，并且自帶96 Byte EEPROM，方便數(shù)據(jù)的存儲(chǔ),。該芯片外圍配置簡(jiǎn)單,，內(nèi)部自帶放大器和比較器，可節(jié)約電路成本。該款單片機(jī)擁有卓越的AD測(cè)量,、多路PWM輸出,、運(yùn)算放大器和超低的功耗，適用于多個(gè)領(lǐng)域產(chǎn)品的開發(fā),。
應(yīng)用場(chǎng)合
電子禮品
消費(fèi)電子
家電
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