FLASH MCU芯片CSU8RF3112高性能的RISC CPU
8位單片機(jī)MCU
內(nèi)置1K×16位程序存儲(chǔ)器FLASH
96字節(jié)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器（SRAM）
54字節(jié)的E2PROM，用于數(shù)據(jù)存儲(chǔ)
只有43條單字指令
6級(jí)存儲(chǔ)堆棧
支持ISP
FLASH MCU芯片CSU8RF3112專用微控制器的特性
上電復(fù)位（POR）
上電復(fù)位和硬件復(fù)位延遲定時(shí)器（40ms）
內(nèi)帶低電壓復(fù)位（LVR）
定時(shí)器0 — 8位可編程預(yù)分頻的8位的定時(shí)計(jì)數(shù)器
定時(shí)/計(jì)數(shù)器2 — 8位可編程預(yù)分頻的8位的分頻器
定時(shí)/計(jì)數(shù)器3 — 8位可編程預(yù)分頻的8位的分頻器
擴(kuò)展型看門狗定時(shí)器（32K WDT） — 可編程的時(shí)間范圍
FLASH MCU芯片CSU8RF3112外設(shè)特性
11位雙向I/O口,1位輸入口
2路蜂鳴器輸出
2路PWM輸出
4個(gè)內(nèi)部中斷,，2個(gè)外部中斷
5個(gè)具有喚醒功能的輸入口
5+3 路12-bitADC
內(nèi)部1.4V,、VDD、外部輸入三種參考電壓選擇
帶數(shù)字比較器
低電壓檢測(cè)（LVD）引腳,，內(nèi)部提供2.4V,、3.6V電壓比較
3個(gè)開漏輸出口
低功耗特性
MCU工作電流
正常模式0.85mA@4MHz(工作電壓3V)
正常模式8uA@32KHz(工作電壓3V)
休眠模式下的電流小于1μA
振蕩器
內(nèi)帶16MHz振蕩器，精度為±2%
外部32768Hz晶振（RTC）或4MHz~16MHz晶振
ERC 3V DC~4M 5V DC~8M
CMOS技術(shù)
電壓工作范圍
VDD 2.3V~5.5V .
FLASH MCU芯片CSU8RF3112特點(diǎn)
FLASH MCU芯片CSU8RF3112是一個(gè)8位RISC架構(gòu),、帶12-bit ADC的高性能單片機(jī),。該款芯片外圍配置簡(jiǎn)單，并且自帶EEPROM,，方便數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)和電路的設(shè)計(jì)。該款單片機(jī)擁有卓越的AD測(cè)量,、多路PWM輸出和超低的功耗,，適用于多個(gè)領(lǐng)域 產(chǎn)品的開發(fā),。
應(yīng)用場(chǎng)合
電子禮品
消費(fèi)電子
家電
返回首頁
上一篇：FLASH MCU芯片CSU8RF3223產(chǎn)品簡(jiǎn)介 下一篇：FLASH MCU芯片CSU8RF3111產(chǎn)品簡(jiǎn)介
