FLASH MCU芯片CSU8RF2111高性能的RISC CPU
8位單片機(jī)MCU
內(nèi)置1K×16位程序存儲(chǔ)器FLASH
96字節(jié)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器（SRAM）
56字節(jié)的E2PROM，用于數(shù)據(jù)存儲(chǔ)
只有43條單字指令
4級(jí)存儲(chǔ)堆棧
支持在線燒錄
FLASH MCU芯片CSU8RF2111專用微控制器的特性
上電復(fù)位（POR）
上電復(fù)位和硬件復(fù)位延遲定時(shí)器（40ms）
定時(shí)器0 — 8位可編程預(yù)分頻的8位的定時(shí)計(jì)數(shù)器
定時(shí)/計(jì)數(shù)器1 — 8位可編程預(yù)分頻的8位的分頻器
擴(kuò)展型看門狗定時(shí)器（32K WDT）
可編程的時(shí)間范圍
FLASH MCU芯片CSU8RF2111外設(shè)特性
5位雙向I/O口,1位輸入口
1路蜂鳴器輸出
1路PWM輸出
2個(gè)內(nèi)部中斷,，1個(gè)外部中斷
5個(gè)具有喚醒功能的輸入口
低電壓檢測(cè)（LVD）引腳,，內(nèi)部提供2.4V,、3.6V電壓比較
1個(gè)開漏輸出口
低功耗特性
MCU工作電流
正常模式1mA@4MHz(工作電壓3V)
正常模式10uA@32KHz(工作電壓3V)
休眠模式下的電流小于1μA
振蕩器
內(nèi)帶16MHz振蕩器
外部32768Hz晶振（RTC）或4MHz~16MHz晶振
CMOS技術(shù)
電壓工作范圍
VDD 2.3V~5.5V
FLASH MCU芯片CSU8RF2111特點(diǎn)
FLASH MCU芯片CSU8RF2111是一個(gè)8位RISC架構(gòu)的高性能、高可靠性單片機(jī),，可在2.3V-5.5V的電壓范圍內(nèi)完成各項(xiàng)控制工作,。該款芯片外圍配置簡(jiǎn)單，并且自帶EEPROM,，方便數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)和電路的設(shè)計(jì),。
應(yīng)用場(chǎng)合
電子禮品
消費(fèi)電子
家電
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