概述
HA5831E 是一款高精度的非隔離降壓型LED控制器,，防閃爍,，適用于85V～265V全電壓范圍的小功率非隔離降壓型LED照明應(yīng)用
HA5831E 內(nèi)置了高精度的采樣、補(bǔ)償電路,，使得電路能夠達(dá)到±5%以內(nèi)的恒流精度,，并且能夠?qū)崿F(xiàn)輸出電流對電感與輸出電壓的自適應(yīng)，從而取得優(yōu)異的線型調(diào)整率和負(fù)載調(diào)整率
HA5831E 內(nèi)部集成了 500V 功率 MOSFET,，無需次級反饋電路,，也無需補(bǔ)償電路，加之精準(zhǔn)穩(wěn)定的自適應(yīng)技術(shù),，使得系統(tǒng)外圍結(jié)構(gòu)十分簡單,，可在外圍器件數(shù)量少，參數(shù)范圍寬松的條件下實(shí)現(xiàn)高精度恒流控制,，極大地節(jié)約了系統(tǒng)成本和體積,，并且能夠確保在批量生產(chǎn)時(shí)LED 燈具參數(shù)的一致性
HA5831E 具有豐富的保護(hù)功能：輸出開短路保護(hù)、采樣電阻開短路保護(hù),、欠壓保護(hù),、輸出過壓保護(hù),、過溫自適應(yīng)調(diào)節(jié)等
HA5831E 采用 SOP-8 封裝
特性
· 內(nèi)部集成 500V 功率管
· ±5%以內(nèi)的系統(tǒng)恒流精度
· 芯片超低工作電流
· 無需輔助供電電路
· 電感電流臨界連續(xù)模式
· 寬輸入電壓
· 輸出短路保護(hù)
· 采樣電阻開短路保護(hù)
· 輸出過壓保護(hù)
· 欠壓保護(hù)
· 過溫自適應(yīng)調(diào)節(jié)功能
· 簡潔的系統(tǒng)拓補(bǔ)，外圍器件極少
功能說明
HA5831E 是一款專用于 LED 照明的恒流驅(qū)動(dòng)芯片,，芯片內(nèi)部集成 500V 高壓 MOSFET,，工
作在 CRM 模式，適合全電壓范圍工作,，具有良好的線性調(diào)整率,、負(fù)載調(diào)整率以及優(yōu)異的恒
流特性，只需很少的外圍元器件就能實(shí)現(xiàn),，低成本高效率的 LED 恒流控制器
啟動(dòng)
HA5831E 啟動(dòng)電流很低，當(dāng)系統(tǒng)上電后,，啟動(dòng)電阻對 VDD電容進(jìn)行充電,，當(dāng) VDD達(dá)到
開啟閾值時(shí)，電路即開始工作,。HA5831E 正常工作時(shí),，內(nèi)部電路的工作電流可以低至 135
μ A 以下，并且內(nèi)部具有獨(dú)特的供電機(jī)制,，因此無需輔助繞組供電
保護(hù)功能
HA5831E設(shè)定了多種保護(hù)功能，如 LED 開短路保護(hù),、ISEN 電阻開短路保護(hù),、VDD 過壓/欠壓、電路過溫自適應(yīng)調(diào)節(jié)等
HA5831E 在工作時(shí),，自動(dòng)監(jiān)測著各種工作狀態(tài),，如果負(fù)載開路時(shí)，則電路將立刻進(jìn)入過壓保護(hù)狀態(tài),，關(guān)斷內(nèi)部MOS管,，同時(shí)進(jìn)入間隔檢測狀態(tài)，當(dāng)故障恢復(fù)后,，電路也將自動(dòng)回復(fù)到正常工作狀態(tài),；若負(fù)載短路，系統(tǒng)將工作在5KHz 左右的低頻狀態(tài),，功耗很低,，同時(shí)不斷監(jiān)測系統(tǒng)，若負(fù)載恢復(fù)正常,，則電路也將恢復(fù)正常工作,；若當(dāng) ISEN 電阻短路，或者電感飽和等其他故障發(fā)生,，電路內(nèi)部快速保護(hù)機(jī)制也將立即停止 MOS 的開關(guān)動(dòng)作,，停止運(yùn)行，此時(shí),，電路工作電源也將下降,，當(dāng)觸發(fā)UVLO電路時(shí)，系統(tǒng)將會(huì)重啟,，如此,，可以實(shí)現(xiàn)保護(hù)功能的觸發(fā),、重啟工作機(jī)制 若工作過程中，HA5831E監(jiān)測到電路結(jié)溫度超過過溫調(diào)節(jié)閾值（155℃）時(shí),，電路將進(jìn)入過溫調(diào)節(jié)控制狀態(tài)，減小輸出電流,，以控制輸出功率和溫升,，使得系統(tǒng)能夠保持一個(gè)穩(wěn)定的工作溫度范圍
PCB 設(shè)計(jì)注意事項(xiàng)
VDD 的旁路電容十分關(guān)鍵,，PCB 板 layout 時(shí)需要盡量靠近VDD及GND引腳電感的充放電回路要盡量短,，母線電容、續(xù)流二極管,、輸出電容等功率環(huán)路面積要盡量小,，芯片距離功率器件也盡量遠(yuǎn)，從而減小 EMI 以及保證電路安全穩(wěn)定工作
電路地線及其他小信號的地線須與采樣電阻地線分開布線,，盡量縮短與電容的距離
RADJ 外接電阻需要盡量靠近 RADJ 引腳,，并且就近接地
NC 引腳建議連接到芯片地（PIN1），有條件時(shí)可用地線將 RADJ 電阻環(huán)繞
DRN 引腳（PIN5,、PIN6）的敷銅面積盡量大,，以提高芯片散熱
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