HE2027是一款高精度的非隔離降壓型LED控制器,，適用于 85V～265V全電壓范圍的小功率非隔離降壓型LED照明應(yīng)用,。

HE2027內(nèi)置了高精度的采樣、補(bǔ)償電路,，使得電路能夠達(dá)到±3%以內(nèi)的恒流精度,，并且能夠?qū)崿F(xiàn)輸出電流對電感與輸出電壓的自適應(yīng),，從而取得優(yōu)異的線型調(diào)整率和負(fù)載調(diào)整率,。

HE2027內(nèi)部集成了500V功率MOSFET,，無需次級反饋電路，也無需補(bǔ)償電路,，加之精準(zhǔn)穩(wěn)定的自適應(yīng)技術(shù),，使得系統(tǒng)外圍結(jié)構(gòu)十分簡單，可在外圍器件數(shù)量少,，參數(shù)范圍寬松的條件下實現(xiàn)高精度恒流控制,，極大地節(jié)約了系統(tǒng)成本和體積，并且能夠確保在批量生產(chǎn)時LED燈具參數(shù)的一致性,。

HE2027 具有豐富的保護(hù)功能：輸出開短路保護(hù),、采樣電阻開短路保護(hù)、欠壓保護(hù),、輸出過壓保護(hù),、過溫自適應(yīng)調(diào)節(jié)等。

特性

·  內(nèi)部集成 500V功率管

·  ±3%以內(nèi)的系統(tǒng)恒流精度

·  芯片超低工作電流

·  無需輔助供電電路

·  電感電流臨界連續(xù)模式

·  寬輸入電壓

·  輸出短路保護(hù)

·  采樣電阻開短路保護(hù)

·  輸出過壓保護(hù)

·  欠壓保護(hù)

·  過溫自適應(yīng)調(diào)節(jié)功能

·  簡潔的系統(tǒng)拓補(bǔ),，外圍器件極少

功能說明

HE2027是一款專用于LED照明的恒流驅(qū)動芯片,，芯片內(nèi)部集成500V高壓MOSFET,，工作在CRM模式,，適合全電壓范圍工作，具有良好的線性調(diào)整率、負(fù)載調(diào)整率以及優(yōu)異的恒流特性,，只需很少的外圍元器件就能實現(xiàn),，低成本高效率的 LED恒流控制器。

啟動

HE2027啟動電流很低,，當(dāng)系統(tǒng)上電后,，啟動電阻對VDD電容進(jìn)行充電，當(dāng)VDD達(dá)到開啟閾值時,，電路即開始工作,。HE2027 正常工作時，內(nèi)部電路的工作電流可以低至135μA以下,，并且內(nèi)部具有獨(dú)特的供電機(jī)制,，因此無需輔助繞組供電。

保護(hù)功能

HE2027設(shè)定了多種保護(hù)功能,，如 LED開短路保護(hù),、ISEN電阻開短路保護(hù)、VDD過壓/欠壓,、電路過溫自適應(yīng)調(diào)節(jié)等,。

HE2027在工作時，自動監(jiān)測著各種工作狀態(tài),，如果負(fù)載開路時,，則電路將立刻進(jìn)入過壓保護(hù)狀態(tài)，關(guān)斷內(nèi)部MOS管,，同時進(jìn)入間隔檢測狀態(tài),，當(dāng)故障恢復(fù)后，電路也將自動回復(fù)到正常工作狀態(tài),；若負(fù)載短路,，系統(tǒng)將工作在 5KHz左右的低頻狀態(tài)，功耗很低,，同時不斷監(jiān)測系統(tǒng),，若負(fù)載恢復(fù)正常，則電路也將恢復(fù)正常工作,；若當(dāng) ISEN電阻短路,，或者電感飽和等其他故障發(fā)生，電路內(nèi)部快速保護(hù)機(jī)制也將立即停止MOS的開關(guān)動作,，停止運(yùn)行,，此時，電路工作電源也將下降,，當(dāng)觸發(fā)UVLO電路時,，系統(tǒng)將會重啟,，如此，可以實現(xiàn)保護(hù)功能的觸發(fā),、重啟工作機(jī)制,。

    若工作過程中，HE2027 監(jiān)測到電路結(jié)溫度超過過溫調(diào)節(jié)閾值（155℃）時,，電路將進(jìn)入過溫調(diào)節(jié)控制狀態(tài),，減小輸出電流，以控制輸出功率和溫升,，使得系統(tǒng)能夠保持一個穩(wěn)定的工作溫度范圍,。

PCB設(shè)計注意事項

VDD的旁路電容十分關(guān)鍵，PCB板 layout時需要盡量靠近VDD及GND引腳,。

電感的充放電回路要盡量短,，母線電容、續(xù)流二極管,、輸出電容等功率環(huán)路面積要盡量小,，芯片距離功率器件也盡量遠(yuǎn)，從而減小 EMI以及保證電路安全穩(wěn)定工作,。

電路地線及其他小信號的地線須與采樣電阻地線分開布線,，盡量縮短與電容的距離RADJ外接電阻需要盡量靠近  RADJ引腳，并且就近接地NC引腳建議連接到芯片地（PIN1）,，有條件時可用地線將  RADJ電阻環(huán)繞DRN引腳（PIN5,、PIN6）的敷銅面積盡量大，以提高芯片散熱,。